訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>SI1926DL-T1-E3>芯片詳情
SI1926DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 0.37A 0.51W中天科工一部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):SI1926DL-T1-E3品牌:VISHAY/威世
VISHAY/威世全新特價(jià)SI1926DL-T1-E3即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI1926DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 60V 0.37A 0.51W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13128990370
- 詢價(jià):
- 電話:
13128990370/微信同號(hào)
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B
相近型號(hào)
- SI1913EDH-T1-GE3
- SI1970DH-T1-E3
- SI1913DH-T1-GE3
- SI1970DH-T1-GE3
- SI1913DH-T1-E3
- SI1972DH-T1-GE3
- SI1912EDH-T1-GE3
- SI1988DH-T1-E3
- SI1912EDH-T1-E3
- SI2136-B30-GMR
- SI1912EDH-T1
- SI2141-A10-GM
- SI1908DL-T1-GE3
- SI2141-A10-GMR
- SI1907DL-T1-GE3
- SI2151-A10-GMR
- SI1906DL-T1-GE3
- SI2155-B30-GMR
- SI1905EDH-T1-GE3
- SI2158-B45-ZM3R
- SI1905DL-T1-GE3
- SI2166-B22-GMR
- SI1905DL-T1-E3
- SI2168-B40-GMR
- SI1904EDH-T1-GE3
- SI2173-A40-ZM7R
- SI1904DL-T1-GE3
- SI21802-B60-GM
- SI1903DL-T1-GE3
- SI21802-B60-GMR
- SI1903DL-T1-E3
- SI2180-B60-GM
- SI1902DL-T1-GE3
- SI2180-B60-GMR
- SI1902DL-T1-E3
- SI21812-B60-GM
- SI1902DL-T1
- SI21812-B60-GMR
- SI1902CDL-T1-GE3
- SI2181-B60-GM
- SI1901DL-T1-GE3
- SI2181-B60-GMR
- SI1900DL-T1-GE3
- SI21822-B60-GM
- SI1900DL
- SI21822-B60-GMR
- SI1869DH-T1
- SI2182-B60-GM
- SI1869DH
- SI2182-B60-GMR