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SPD18P06P_NKGLBDT/南科功率半導體_MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252南科功率半導

SPD18P06P

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  • 廠家型號：

    SPD18P06P

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NK/南科功率

  • 庫存數(shù)量：

    3100

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號：

    2025+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-6-6 14:01:00

  • 詳細信息
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原廠料號：SPD18P06P品牌：NK/南科功率

國產(chǎn)南科平替供應大量

  • 芯片型號：

    SPD18P06P

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    567.8 kb

  • 資料說明：

    SIPMOS? Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SPD18P06P

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SIPMOS®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市南科功率半導體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    柯經(jīng)理

  • 手機：

    18529599598

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82550454

  • 傳真：

    0755-82550454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北新華強H4C003

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