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SSM3J338R中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM3J338R
廠商型號

SSM3J338R

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

絲印標識

KFQ

封裝外殼

SOT-23F

文件大小

424.34 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-10 22:30:00

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SSM3J338R規(guī)格書詳情

Applications

? Power Management Switches

Features

(1) 1.8 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 26.3 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 20.1 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 15.9 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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