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STL33N60DM6

N-channel 600 V, 125 m typ., 21 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Features ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM

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STL33N60DM6

N溝道600 V、125 mOhm典型值、21 A MDmesh DM6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封裝; ? 快速恢復(fù)體二極管 \n? 與上一代相比，具有更低的面積值 \n? 低柵極電荷、輸入電容和電阻 \n? 經(jīng)過100％雪崩測試 \n? 極高的dv / dt耐用性 \n? 穩(wěn)壓保護 \n? 強爬電距離封裝;

該高壓N溝道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢復(fù)二極管特性系列的一個產(chǎn)品。與前一代MDmesh技術(shù)相比，DM6將極低恢復(fù)電荷 (Qrr)、極短恢復(fù)時間 (trr) 以及出色的導(dǎo)通電阻 (RDS(on))， 與行業(yè)里最高效的開關(guān)特性相結(jié)合，非常適合用于效率要求苛刻的橋式拓撲和ZVS（零電壓開關(guān)）移相轉(zhuǎn)換器。\n\n

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STB33N60DM6

N-channel600V,115mΩtyp.,25A,MDmeshDM6PowerMOSFETinaD2PAKpackage

Features ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Applications ?Switchingapplications Description Thishigh-voltageN-cha

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STF33N60DM6

N-channel600V,115mtyp.,25A,MDmeshDM6PowerMOSFETinaTO?220FPpackage

Features ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM

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STP33N60DM6

N-channel600V,115mtyp.,25A,MDmesh?DM6PowerMOSFETinaTO?220package

Features ?Fast-recoverybodydiode ?LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected ?High-creepagepackage Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFET

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技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    PowerFLAT 8x8 HV

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.14

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    21

  • PTOT_max(W)：

    150

  • Qg_typ(nC)：

    35

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    115

  • Qrr_typ(nC)：

    520

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    9

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STL33N60DM6供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 13:01:00

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