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TISP8201MDR-S

SCR PROTECTOR - BUFFERED N-GATE PROG. PROT.

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

TISP8201MDR-S

COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

TISP8201MDR-S

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：帶盒（TB） 類別：電路保護(hù) TVS - 晶閘管 描述：THYRISTOR 120V 45A 8SOIC

Bourns Inc.

Bourns Inc.

TLE8201R

DoorModulePowerIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

TPC8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

TPCF8201

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TISP8201MDR-S

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    電路保護(hù) > TVS - 晶閘管

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 電壓 - 導(dǎo)通：

    95V

  • 電壓 - 斷態(tài)：

    120V

  • 電容：

    35pF

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 描述：

    THYRISTOR 120V 45A 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Bourns(伯恩斯)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
18663
我們只是原廠的搬運工
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Bourns(伯恩斯)
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免費送樣,賬期支持,原廠直供,沒有中間商賺差價
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
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保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Bourns
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BOURNS/伯恩斯
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原裝正品，支持實單
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Bourns
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SOP8
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BOURNS/伯恩斯
25+
SOP8
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更多TISP8201MDR-S供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 16:10:00

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